制訂記憶體等半導體標準規格的JEDEC固態技術協會，在美國時間7月14日正式公布下一代SDRAM「DDR5」的標準規格。
DDR5標準將突發長度提升一倍至BL16，記憶體Bank數也由16增至32，達致在不降低通道效能下，以更高的速度擴展記憶體性能。此外，DDR5 DIMM在同一模塊上設有兩條40-bit完全獨立的子通道，以提升效能和可靠性，應付由客戶端系統到高效率伺服器對提升效能日益增長的要求，提供更佳通道效率和更高應用層面效能，讓下一代電腦系統能持續革新。
DDR5又備有DFE(決策回饋等化)等新功能，令頻寬比現有的DDR4提升一倍，傳輸速度也較DDR4後期的3.2Gbps提升1.5倍至4.8Gbps。其他新功能還包括「細粒度刷新」，與DDR4相比全Bank刷新的裝置延遲改善了16Gbps；「同Bank自我刷新」令到其他的Bank在使用時，部分Bank也可以進行刷新以提升效率。而在提升能源效益上，Vdd電壓也由DDR4的1.2V降至1.1V。同時在模塊層面，藉著在DIMM上配置電壓調節器的設計，提升電壓容限以提高DRAM的良率，並有望進一步減低能源消耗。
現時多間廠商已經預備在2021年推出DDR5記憶體。由於DDR5規格在針腳、電壓上的改變，毫無疑問現有底板無法支援，或與DDR4併用，甚至連CPU也要推出新Socket來應付DDR5的需求。
今年初CES時，Micron曾展示過DDR5記憶體產品。
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