Belgan專門生產氮化鎵半導體，相關晶片應用於電動車、航太及軍事領域，該公司已於2024年破產。(網上圖片)
比利時檢察當局表示，一名具中國與比利時雙重國籍的52歲男子，因涉嫌從事半導體技術間諜活動，今年5月在機場準備搭機前往北京時被捕，目前正遭審前羈押，同案另有一名疑犯在逃。
檢方指出，該男子定居比利時，曾任當地晶片製造商Belgan高層，涉嫌將生產氮化鎵晶片相關的專門智慧財產權與商業機密非法轉移至國外。
Belgan專門生產氮化鎵半導體，相關晶片應用於電動車、航太及軍事領域，該公司已於2024年7月破產。檢方懷疑他在Belgan任職期間，同時在一間生產同類晶片的中國企業擔任董事；該中國公司由中國投資基金出資，且在他加入Belgan僅數個月後成立。 中國駐比利時大使館暫未對此事發表評論。
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