三星及SK海力士據報擬升級在華晶片廠。(資料圖片/路透社)
路透社引述消息報道，三星電子和SK海力士計劃升級在中國的晶片廠，生產更先進的儲存晶片，以應對中國競爭對手的崛起。兩家晶片巨頭向路透社證實相關消息，並已經充就相關計劃與美國政府磋商。
三星和SK海力士計劃在中國工廠生產超過200層的快閃記憶體（NAND）晶片，縮小與南韓本地生產線的差距。美國自2022年起限制部分晶片製造設備出口中國以來，兩家公司若要在中國工廠安裝美國製造的設備，必須每年向華府申請許可。
美國商務部工業與安全局（BIS）曾表示，原則上只會批准維持現有中國工廠運作所需的設備出口，不會批准擴大產能或升級技術的申請。
三星強調，升級在華工廠符合美國出口管制規定，此次升級旨在滿足全球客戶不斷增長的需求，公司並未擴大產能，也沒有建設新的製造設施。報道引述消息稱，SK海力士已獲准在大連工廠生產最多240層的晶片，並可能向美國方面申請許可，在大連研發300層以上晶片。
報道引述市場研究機構Omdia數據，長江儲存第二季在中國NAND市場的市佔率達38.5%，高於去年全年的28%，並已超越三星；同期三星的市佔率從36%降至33.5%，SK海力士則從20%降至17%。
