S8 Elite Gen5 Galaxy 特供版除主核時脈更高 傳或以三星 2nm GAA 製程生產
上月高通發表旗艦新作 Snapdragon 8 Elite Gen 5 晶片組，採用 TSMC 3nm 製程生產；不過近日有傳預計應用在 Samsung Galaxy S 系列等旗艦產品，俗稱特供版的 S8 Elite Gen 5 for Galaxy 晶片，或可以用上更先進 2nm 技術製成。
韓媒 NewDaily 早前報道，三星半導體代工廠近日向高通提供 S8 Elite Gen 5 晶片樣本，其採用三星 2nm GAA 製程生產，亦為相關技術旗艦晶片首例。
消息指三星 SF2 製程 2nm 有更高電晶體密度、更高功效表現，其 GAA 結構較 FinFET 加強閘極控制，可同時提高效能及降低功耗。
報道指三星藉試產自家 Exynos 2600 晶片，以快速穩定 2nm GAA 製程良率，並在符合內部品質評定後，方向高通提供 S8 Elite Gen 5 for Galaxy 晶片樣品。
報道導指三星藉試產自家 Exynos 2600 晶片，以快速穩定 2nm GAA 製程良率，並在符合內部品質評定後，方向高通提供 S8 Elite Gen 5 for Galaxy 晶片樣品。
料要數月評測
Mobile Magazine 短評：雖三星已提供 2nm 版 S8 Elite Gen 5 樣品，但估計高通尚需以數月時間進行品檢、評測及試產程序，方落實最終會否採用該技術。
資料來源：NewDaily（韓國）
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